El principio de la placa de protección de la batería de litio se analiza en detalle.

El principio de la placa de protección de la batería de litio es muy simple, los componentes electrónicos también son muy pocos, es adecuado para que los principiantes presenten el primer capítulo de la composición y el papel principal de la placa de protección de la batería de litio presenta principalmente la composición de la placa de protección de la batería, el papel principal de la placa de protección de la batería, principio de funcionamiento. Y la producción de alcance de aplicación de línea de protección de batería de litio única, parámetros de rendimiento eléctrico, materiales principales, especificaciones de tamaño y otros elementos del contenido relevante. Todos los estándares del proyecto descritos en esta especificación pueden usarse como estándares y base de inspección de calidad. (1) batería recargable de iones de litio líquido; (2) batería recargable de polímero de iones de litio. Uno, la composición de la placa protectora de la batería de litio (recargable) necesita protección, está determinada por sus propias características. Debido a que el material de la batería de litio en sí determina que no se puede sobrecargar, sobrecargar, sobrecargar, cortocircuitar y cargar y descargar a temperaturas ultra altas, los componentes de la batería de litio siempre siguen una placa protectora delicada y un trozo de corriente. protector. La función de protección de la batería de litio generalmente se realiza mediante placas de circuito de protección y sinergia PT, la placa protectora está compuesta de circuitos electrónicos y de 40 ℃ a + 85 ℃ en el entorno de monitoreo preciso del tiempo, voltaje de las baterías y corriente del circuito y el control en tiempo real encendido y apagado en bucle de corriente; PTC evita daños graves a la batería a altas temperaturas.

La placa de protección generalmente incluye IC de control, interruptor MOS, resistencia, condensador y dispositivo auxiliar NTC, memoria de identificación, etc. El IC de control controla el interruptor MOS en circunstancias normales para hacer que la celda se comunique con el circuito externo y cuando el voltaje de la celda o la corriente del circuito excede el valor especificado, inmediatamente (decenas de milisegundos) controla el interruptor MOS para proteger la seguridad de la celda. El NTC es la abreviatura de Coeficiente de temperatura negativo, lo que significa que el coeficiente de temperatura negativo, cuando la temperatura ambiente, la resistencia se reduce, utiliza equipos eléctricos o equipos de carga de respuesta oportuna y controla la interrupción interna y detiene la carga y descarga. El almacenamiento de ID es típicamente un almacenamiento de interfaz de una sola línea, y ID es la abreviatura de Identificación, que almacena información como el tipo de batería y la fecha de fabricación. Puede actuar como limitación de la trazabilidad y aplicación del producto.

En segundo lugar, los requisitos generales en la función principal de la placa de protección - 25 ℃ ~ 85 ℃ cuando el Control (IC) prueba el voltaje de las baterías Control y circuito de carga y descarga de la corriente de trabajo, voltaje, bajo la condición de tubo de interruptor C - MOS normal conducción, el trabajo normal de las baterías y la placa de circuito de protección, y cuando el voltaje de las baterías o la corriente de trabajo en el circuito excede el IC de control preestablecido del circuito de comparación, dentro de 15 ~ 30 ms (diferentes IC de control y C - MOS tienen un tiempo de respuesta diferente ), el CMOS apaga, apaga o carga el circuito de descarga de las baterías, para garantizar la seguridad de los usuarios y las baterías. El diagrama del principio de funcionamiento de la placa de protección: como se muestra en la figura, el IC es alimentado por la celda y se puede garantizar que el voltaje funcione de manera confiable a 2v-5v. 1, protección contra sobrecargas, la protección contra sobrecargas se reanuda cuando la batería estaba cargando un voltaje superior al valor establecido de VC (4.25-4.35 V, el voltaje depende del IC de protección contra sobrecargas específico) después de que VD1 cambie a Cout sea un nivel bajo, corte T1 , deje de cargar. Cuando el voltaje de la batería cae a VCR (3.8-4.1 V, el voltaje de recuperación depende del IC de protección de sobrecarga específico), Cout es un nivel alto, la carga de conducción T1 continúa, VCR VC debe ser menor que un valor fijo, para evitar frecuentes saltar. 2, ponga la protección y la protección contra sobredescarga se reanuda cuando el voltaje de la batería cae para configurar los datos debido a la descarga de VD (2.3-2.5 V, el voltaje depende del IC de protección de sobrecarga específico), VD2, con un breve retardo de tiempo, conviértalo en un nivel bajo, corte Dout T2, descarga para parar, cuando la batería está a cargo de interna o reversa la puerta estaba de nuevo y hacer la conducción T2 para preparar la próxima descarga. 3, sobrecorriente, protección contra cortocircuitos cuando la corriente del circuito de carga y descarga excede el valor establecido o es cortocircuito, acción del circuito de detección de cortocircuito, para que el tubo MOS se apague, corte de corriente. El tercer capítulo presenta la función de las partes principales de la placa de protección.

R1: resistencia de alimentación de referencia; El circuito de división de voltaje se forma con la resistencia interna de IC para controlar el cambio de nivel del comparador interno de voltaje de sobrecarga y sobredescarga; General en la resistencia de 330 Ω, 470 Ω más; Cuando el formato de empaque (expresándolo en longitud estándar del elemento y el ancho del tamaño del elemento, como 0402) identifica que la longitud y el ancho del dispositivo eran 1.0 mm y 0.5 mm) es mayor, puede usar digital identifica su resistencia, como una resistencia SMD en id digital 473, indica que la resistencia de 47000 Ω 47 k Ω inmediatamente (el tercer dígito en los dos dígitos superiores 0) después de él. R2: sobrecorriente, resistencia a la detección de cortocircuitos; Al detectar la placa de protección de corriente de control de voltaje del terminal VM, la soldadura, el daño causará sobrecorriente de la batería, protección contra cortocircuitos, resistencia general Ω Ω a 1 k, 2 k. R3: Resistencia de identificación de ID o resistencia NTC (descrita anteriormente) o ambas. Conclusión: la resistencia en la placa protectora son parches negros, use un multímetro puede medir su valor, su valor cuando encapsula numéricamente más grande, dicho método como se mencionó anteriormente, por supuesto, se propone.Los teóricos generalmente tienen desviación, cada resistencia tiene especificaciones de precisión, como Especificaciones de resistencia de 10 K Ω para una precisión de + / - 5%, su valor es de 9.5 K Ω - rango de 10.5 K Ω para calificados. C1 y C2: dado que el voltaje en ambos extremos del condensador no se puede cambiar repentinamente, desempeña el papel de estabilización y filtrado de voltaje transitorio. Resumen: el condensador es un parche amarillo en la placa de protección. Hay muchas formas de embalaje de 0402 y algunas de 0603 (1,6 mm de largo y 0,8 mm de ancho). El multímetro se utiliza para inspeccionar su resistencia al infinito o al nivel general de M Ω; La fuga del condensador producirá un gran consumo de energía, cortocircuito sin fenómeno de autorrecuperación. FUSIBLE: FUSIBLE ordinario o PTC (coeficiente de temperatura positivo, significa coeficiente de temperatura positivo); Evita descargas inseguras de alta temperatura y corrientes grandes, el PTC tiene una función de recuperación automática. Resumen: FUSE es generalmente un parche blanco en la placa de protección. Proporcionado por la empresa LITTE, marcará el carácter dt en el FUSIBLE, que significa la corriente nominal que el FUSIBLE puede soportar. Por ejemplo, la corriente nominal de D es 0.25A, S es 4A y T es 5A. Ahora todos los FUSIBLES con corriente nominal de 5A en nuestra empresa, es decir, identifican el carácter 'T' en la ontología. U1: control IC; Todas las funciones de la placa de protección se realizan mediante IC que controla c-mos para realizar acciones de conmutación al monitorear la diferencia de voltaje entre vdd-vss y vm-vss. Cout: terminal de control de sobrecarga; El interruptor MOS está controlado por el voltaje de la puerta MOS T2. Dout: sobredescarga, sobrecorriente, terminal de control de cortocircuito; El interruptor MOS está controlado por el voltaje de la puerta MOS T1. VM: sobrecorriente, terminal de detección de voltaje de protección contra cortocircuitos; La protección contra sobrecorriente y cortocircuito (U (VM) = I * R (MOSFET)) se realiza detectando voltaje en el extremo VM. Resumen: IC es generalmente la forma de empaque de 6 pines en la placa de protección. El método para distinguir las clavijas es el siguiente: la primera clavija está cerca del punto negro marcado en el cuerpo del paquete, y luego la segunda, tercera, cuarta, quinta y sexta clavijas se giran en sentido antihorario. Si no hay una marca de punto negro en el cuerpo de encapsulación, el primer pin está en la parte inferior izquierda del carácter en el cuerpo de encapsulación, y los demás pines van en sentido antihorario) c-mos: tubo de interruptor de efecto de campo; El implementador de la función de protección; La soldadura continua, la soldadura espúrea, la soldadura espuria y la avería provocarán que la batería no esté protegida, no se muestre, tenga un voltaje de salida bajo y otros fenómenos adversos. Resumen: CMOS es generalmente una forma de empaque de 8 pines en la placa de protección. Está compuesto por dos tubos MOS, que son equivalentes a dos interruptores, que controlan respectivamente la protección contra sobrecarga, la protección contra sobredescarga, la protección contra sobrecorriente y la protección contra cortocircuitos. Su método de distinción de pines es el mismo que el de IC. En circunstancias normales, Vdd es de alto nivel, Vss y VM son de bajo nivel y Dout y Cout son de alto nivel. Cuando cualquier parámetro de Vdd, Vss y VM se transforma, el nivel de Dout o Cout cambiará, y en este momento, MOSFET realizará la acción correspondiente (circuito de apertura y cierre), para realizar la función de protección y recuperación del circuito. Capítulo 4 método de prueba de rendimiento principal 1. Prueba de resistencia NTC: mida directamente el valor de resistencia NTC con un multímetro y luego compárelo con la guía de referencia del cambio de temperatura y el valor de resistencia NTC. 2. Prueba de resistencia de identificación: mida directamente el valor de resistencia de identificación con un multímetro y luego compárelo con la tabla de gestión de proyectos importante de la placa de protección. 3. Prueba de autoconsumo: la fuente de corriente constante es 3.7v / 500mA; El multímetro se configura como un archivo uA y el lápiz medidor se inserta en el orificio del conector uA y luego se conecta en serie con la fuente de corriente constante para conectar la placa de protección B + y B-, como se muestra en la figura siguiente: en este momento , la lectura del multímetro es el consumo de energía de la placa de protección, si no hay lectura, use pinzas o alambre de estaño para conectar B- y P- y activar el circuito. 4. Prueba de protección contra cortocircuitos: conecte la celda de la batería a la placa de protección B + y B-, y conecte B- y P- en corto con pinzas o alambre de estaño, y luego conecte en corto P + y P-; Después del cortocircuito, use un multímetro para medir el voltaje de circuito abierto de la placa de protección (como se muestra en la figura siguiente); Repetidamente cortos 3-5 veces, esta vez la lectura del multímetro debe ser consistente con la celda, la placa de protección debe ser sin humo, explosión y otros fenómenos.

Como se muestra en la figura anterior, conecte el circuito, configure los datos yi 'an de litio de acuerdo con la importante tabla de gestión de proyectos, luego presione el botón automático y luego presione el botón en el bolígrafo rojo para realizar la prueba. En este momento, la luz del yi 'un probador de litio debe encenderse una por una, lo que indica que el rendimiento es correcto. Presione la tecla de pantalla para verificar los datos de prueba: 'Chg' significa voltaje de protección de sobrecarga; Voltaje de protección contra sobredescarga del medidor 'Dis'; 'Ocur' significa corriente de protección contra sobrecorriente. 1, sin pantalla, voltaje de salida bajo, no puede llevar la carga: este tipo de mal primero descarta la celda defectuosa (la celda no tenía voltaje o voltaje bajo), si la celda defectuosa debe probar el consumo de energía de la placa de protección, para ver si el consumo de energía de la placa de protección es demasiado grande para hacer que el voltaje de la celda sea bajo. Si el voltaje de la celda es normal, es porque todo el circuito de la placa de protección está bloqueado (componentes de soldadura virtual, falsa soldadura, FUSIBLE defectuoso, circuito interno de la placa PCB bloqueado, orificio pasante bloqueado, MOS, daño IC, etc.) . Los pasos de análisis específicos son los siguientes: (1) use el bolígrafo negro multímetro para conectar el electrodo negativo del núcleo de la batería, y el bolígrafo rojo del reloj se conecta a ambos extremos del FUSIBLE y la resistencia R1 sucesivamente. Los extremos Vdd, Dout, Cout y P + de IC (asumiendo que el voltaje de la celda es 3.8v) se analizan paso a paso. Todos estos puntos de prueba deben ser de 3.8v. Si no es así, hay un problema con esta sección del circuito. 1. Cambios de voltaje en ambos extremos del FUSIBLE: pruebe si el FUSIBLE está encendido, si lo está, el circuito interno de la placa PCB está bloqueado; De lo contrario, FUSE tiene problemas (material entrante deficiente, daño por sobrecorriente (falla de control de MOS o IC) y los materiales tienen problemas (FUSE se quema antes de la acción de MOS o IC), y luego FUSE se conecta con un cable corto para más 2. Cambios de voltaje en ambos extremos de la resistencia R1: pruebe el valor de resistencia de R1. Si el valor de resistencia es anormal, puede ser una soldadura virtual y la resistencia en sí está rota. Si el valor de resistencia no es anormal, puede haber un problema con la resistencia interna de IC. 3. Cambio de voltaje en el terminal de prueba de IC: el terminal Vdd está conectado con la resistencia R1. Si los extremos Dout y Cout son anormales, es debido a la soldadura virtual del IC o daño. 4. Si hay no hay cambios en el voltaje frontal, pruebe el voltaje anormal entre B- y P +, entonces es porque el polo positivo de la placa de protección está bloqueado. (2) el bolígrafo multímetro rojo está conectado al electrodo positivo de la celda. Después de activar el tubo MOS, el bolígrafo de reloj negro está conectado al terminal p del tubo MOS de 2, 3, 6 y 7 pies. 1. Si el voltaje del tubo MOS 2, 3, 6 y 7 pies cambia, el tubo MOS es anormal. 2. Si el voltaje del tubo MOS no cambia y el voltaje del terminal p es anormal, es porque el polo negativo de la placa de protección está bloqueado. 2. Cortocircuito sin protección: 1. Si hay un problema con la resistencia del terminal VM, se puede usar un multímetro y un bolígrafo para conectar el pin IC2. Vea si hay alguna soldadura virtual entre la resistencia, el IC y el pin MOS. 2.Anormalidad IC y MOS: debido a que la protección contra sobredescarga comparte un tubo MOS con protección contra sobrecorriente y cortocircuito, si la anomalía del cortocircuito es causada por un problema MOS, esta placa no tendrá función de protección contra sobredescarga. 3. Los anteriores son defectos en condiciones normales y también pueden ocurrir anomalías de cortocircuito causadas por una mala configuración de IC y MOS. Por ejemplo, el bk-901 anterior, cuyo modelo es '312D', tiene un tiempo de retardo largo en el IC, lo que da como resultado el daño del MOS u otros componentes antes de que el IC realice el control de acción correspondiente. Nota: la forma más fácil y directa de determinar si el IC o el MOS es anormal es reemplazar los componentes sospechosos. Protección contra cortocircuitos sin autorrecuperación: 1. El IC utilizado en el diseño originalmente no tiene función de autorrecuperación, como G2J, G2Z, etc. 2. El tiempo de recuperación de cortocircuito del instrumento es demasiado corto o la carga no se quita durante la prueba de cortocircuito, por ejemplo, la pluma del medidor no se quita del extremo de prueba después de la prueba de cortocircuito con el rango de voltaje del multímetro (el multímetro equivale a una carga de varios megabytes). 3. Las fugas entre P + y P-, como colofonia con impurezas entre las almohadillas de soldadura, pegamento amarillo con impurezas o capacitancia entre P + y P- se descomponen, y ICVdd a Vss se descompone (el valor de resistencia es solo de unos pocos K a varios cientos de K). 1. Como la resistencia interna del MOS es relativamente estable y grande, lo primero que se sospecha es FUSE o PTC, que son relativamente fáciles de cambiar. 2. Si la resistencia del FUSIBLE o PTC es normal, la inspección de P +, P- a través de la resistencia entre la placa de soldadura y la superficie del componente por la estructura de la placa protectora puede provocar micro roturas y una resistencia relativamente grande. 3. Si no hay problemas arriba, es necesario dudar si MOS es anormal. En segundo lugar, el grosor del kanban (si es fácil de doblar), ya que el doblado puede provocar una soldadura de pasador anormal; Luego, el tubo MOS se coloca bajo el microscopio para observar si se rompe. Finalmente, el multímetro se usa para probar el valor de resistencia del pin MOS para ver si está descompuesto. 1. La resistencia del DI en sí es anormal debido a una soldadura virtual, rotura o material de baja resistencia: los dos extremos de la resistencia se pueden volver a soldar. Si el ID es normal después de volver a soldar, es una soldadura virtual de resistencia; si el ID está roto, la resistencia se agrietará en el medio después de volver a soldar. 2.ID a través del orificio sin conducción: puede probar ambos extremos del orificio con un multímetro. 3. Problemas del circuito interno: raspe la pintura del bloque de soldadura para ver si el circuito interno está desconectado o en cortocircuito.

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